InGaAs 盖革雪崩焦平面探测组件单一来源公示-政府采购意向

InGaAs 盖革雪崩焦平面探测组件单一来源公示-政府采购意向

发布于 2025-06-12

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武汉大学资源与环境科学学院
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InGaAs 盖革雪崩焦平面探测组件单一来源公示

发布日期:2025-06-12

**大学高InGaAs盖革雪崩焦平面探测组件单一来源方式采购征求意见公示

****点击查看拟采购InGaAs盖革雪崩焦平面探测组件1套,使用单位申请单一来源方式采购,现予以公示。


一、 采购内容:InGaAs盖革雪崩焦平面探测组件

二、采购要求:
1 技术要求:
本项目是需使用APD探测器组建功能模块,保证高效、可重复地完成。
2 主要性能指标:
当前,我单位承担的项目需使用APD探测器组建功能模块,其核心性能要求包括:

传感器像元规模:128×128;

光敏面大小:(6.4±0.1)mm×(6.4±0.1)mm;

像元大小:(50±0.1)μm×(50±0.1)μm;

时间分辨率:≤2.5ns;

最大工作帧频:≤10 kHz;

单光子探测率:PDE≥20%(T=-10℃,λ=1064nm);

单光子探测率标准差:σPDE≤12%(T=-10℃,λ=1064nm);

暗计数率:DCR≤10 kHz(T=-10℃);

暗计数率标准差:σDCR≤8kHz(T=-10℃)。

三、 采用单一来源采购方式的原因及相关说明

供货商需提供全程技术服务和支持,并免费安装调试及技术培训,在不影响原有系统性能基础上达到或超过上述技术指标要求。
该型号APD探测器为****点击查看****点击查看研究所独家生产,**范围内无其他合规供应商。国内同****点击查看学院****点击查看研究所****点击查看实验室阶段,未通过量产一致性认证(如ISO 9001、IECQ QC 080000)。

四、拟定唯一供应商名称、地址
供应商:****点击查看****点击查看研究所

联系人:卢杰 185****点击查看3200
地址:**市**区西永大道23号****点击查看研究院101楼

五、公示期:从2025年06月12日至2025年06月18日16时止

如有其他潜在供应商对本项目采用单一来源方式采购有异议,应在公示期内以书面形式以实名(盖单位公章、包括联系人、地址、联系电话)****点击查看大学****点击查看中心。


项目经办人:赵老师 027-****点击查看4507

技术负责人:秦老师 电话:182****点击查看9769地址:**省**市**区八一路299号
邮编:430072

****点击查看**管理中心
2025年06月12日