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采购单位: | ****点击查看 |
项目名称: | 四腔室PECVD |
预算金额(元): | 1,800,000.000 |
采购品目: | 核技术应用设备 |
采购需求概况: | 用来制备高纯锗单晶、硅单晶深槽中子探测器时,在表面沉积多种介质膜。为了防止交叉污染,需要配备四腔室;分别完成本征薄膜、SiNx/SiONx/SiO2膜、掺碳薄膜和n型薄膜的生长。具备2英寸、4英寸和6英寸处理能力。 |
预计采购时间: | ****点击查看 |
联系人: | 胡老师 |
联系电话: | 139****点击查看0717 |
备注: | 无 |
本次公开的****点击查看政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准
源网址:http://zfcg.****点击查看.com:8081/gsgg/002001/****点击查看01001/002****点击查看01002/****点击查看1001/ca43cd4d-926a-4b03-8cfc-0aea3003d1bd.html