器件测试、模型仿真验证、器件可靠性模型测试、可靠性模型仿真验证、电路测试-中国科学院微电子研究所-政府采购意向

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为实现宽温度范围电路仿真，需要研制宽温度范围的器件基带模型，因此基于器件基本TESTKEY获得建模所需的基本电学特性，包括：I-V、C-V、噪声数据。开展课题完成的基带模型测试、验证与优化，保证所开发的基带模型能够达到业界商用标准。为实现先进工艺节点下电路老化仿真，需要研制电路可靠性模型，包括BTI可靠性模型，通过测试器件在不同加压条件下随时间的变化数据，包括饱和电流IDSAT与阈值电压Vth等，此外还需要器件TDDB可靠性开展测试。开展课题完成的BTI可靠性模型测试、验证与优化，保证所开发的基带模型能够达到业界商用标准。开展课题研制的第二次流片芯片，针对其中环形振荡器等电路开展老化测试，通过电路级测试来研制可靠性模型。