哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
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电子束曝光用纳米图形发生器系统 | 项目编号****点击查看 | |
2024-11-25 12:40:29 | 公告截止日期2024-11-28 14:00:00 | |
****点击查看(**) | 付款方式签订合同后15天内付70%预付款,到货验收后支付尾款30% | |
联系电话 | ||
到货时间要求 | 签约后120个工作日内 | |
¥800000.00 | ||
****点击查看(**) | ||
符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
电子束曝光用纳米图形发生器系统 | 1 | 台 |
金竟科技 |
Pharos Ex |
¥ 800000.00 |
1、扫描刻写速度可达到20 MHz; 2、电子束最小驻留时间:50 纳秒; 3、写场尺寸:可设置成10μm-1000μm 4、刻写方式:矢量扫描刻写;写场尺寸(像素)的实际像素为:50000*50000。 5、配置高精度压电纳米台;重量:150g;行程:36 mm;移动速度可达到5 mm/s;传感器分辨率:1.25 nm;闭环重复定位精度:5 nm;超高真空兼容:5X10-7 Pa 6、12位高性能,小温漂的DAC图形采集系统 7、匹配DSP高性能信号处理器,信号处理能力优于30M,支撑高效,高分辨的曝光 8、恒温抗干扰机箱,减少干扰,稳定性大大优于集成设备 9、线性电源和开关电源配合使用,输出波纹小,抗电磁干扰能力强 10、独立的X,Y模块,将干扰降到最小,同时进行隔离,屏蔽等处理 11、用于 X 和 Y 方向电子束偏转的两套 16 位高速数模转换和控制系统 12、带有匹配的束闸输入接口 13、配有适配器,使电镜,能谱,曝光互联和转接互不干扰 14、软件功能可实现:数字图像采集;可以图形拼接,可实现精准套刻、写场拼接;软件可控制曝光、工件台移动和束闸通断等功能;高精度工作台的控制和显示;具有对位标记识别能力,可实现标记检测、写场校正;读取图形文件格式:GDSII;图形及写场的分割处理等功能;曝光参数调整与计算功能;具备电子束曝光工艺列表;电子束曝光过程控制和进度显示;数据传输速度:320MB/s 15、配有22寸液晶显示器和PC图形控制系统一套 16、曝光测试: 1) 刻写极限线宽:≤80 nm 2) 拼接及套刻精度:优于100 nm |